基本信息
| 标准名称： | 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 |
| 英文名称： | Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 替代情况： | 替代GB/T 4061-1983 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2009-10-30 |
| 实施日期： | 2010-06-01 |
| 首发日期： | 1983-12-20 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 提出单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 洛阳中硅高科技有限公司 |
| 起草人： | 袁金满 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2010-06-01 |
| 页数： | 8页 |
| 计划单号： | 20064809-T-469 |
适用范围
本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。
本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料